组合掩模版
授权
摘要
本实用新型提供了一种组合掩模版。通过组合使用第一掩模版和第二掩模版，以界定出对位标记的图形，从而使得所形成的对位标记的结构更为复杂且精度更高，进而基于该对位标记执行光刻工艺时，即有利于提高光刻工艺的对准精度，减小光刻工艺的对位偏差。以及，在将该对位标记结合至半导体器件的制备过程中，则相应的能够提高所形成的半导体器件的性能。
基本信息
专利标题 ：
组合掩模版
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921882973.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-04
授权号 ：
CN210776175U
授权日 ：
2020-06-16
发明人 ：
巫奉伦王嘉鸿夏忠平黄建维
申请人 ：
福建省晋华集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号
代理机构 ：
上海思捷知识产权代理有限公司
代理人 ：
王宏婧
优先权 ：
CN201921882973.7
主分类号 ：
G03F1/42
IPC分类号 ：
G03F1/42 G03F7/20 G03F9/00 H01L23/544
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1/00
用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1/38
具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F1/42
校准或对齐特征，例如掩膜基板上的校准标记
法律状态
2020-06-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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