一种EUV光掩模缺陷定位方法
实质审查的生效
摘要
本申请提供了一种EUV光掩模缺陷定位方法，属于EUV光刻技术领域，所述方法包括以下步骤：在EUV光掩模基板上制备光刻机需要的对准图形；检测缺陷位置,得到坐标(x,y)；光刻机根据所述对准图形进行对准；光刻机以所述缺陷位置为固定点写入规则图形并显影；获得缺陷在所述规则图形中距离所述固定点的横向距离Δx和纵向距离Δy；计算得到缺陷在光刻机坐标系下的精确坐标(x+Δx，y+Δy)。通过本申请的处理方案，节省了设备的使用并且缩短了EUV光掩模制造的时间，提高了缺陷位置的精确度。
基本信息
专利标题 ：
一种EUV光掩模缺陷定位方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114488685A
申请号 ：
CN202111671010.4
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郑怀志
申请人 ：
广州新锐光掩模科技有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市(中新广州知识城）亿创街1号406房之518
代理机构 ：
北京清大紫荆知识产权代理有限公司
代理人 ：
郑纯
优先权 ：
CN202111671010.4
主分类号 ：
G03F1/84
IPC分类号 ：
G03F1/84 G03F1/22
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1/00
用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1/68
未包含在G03F1/20至G03F1/50组中的制备工艺
G03F1/82
辅助工艺，例如清洗
G03F1/84
检查
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 1/84
申请日 : 20211231
申请日 : 20211231
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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