本申请涉及一种掩模版定位精度的测量方法。该方法包括：第一步：使用所述掩模版对被测光片进行曝光形成第一曝光单元；第二步：使得所述掩模版平移第一距离，通过所述掩模版的不同位置再次对所述被测光片进行曝光，使得所述第一曝光单元被叠加曝光形成第二曝光单元；第三步：测量所述第二曝光单元的关键尺寸；第四步：基于所述第二曝光单元的关键尺寸，与基准曝光单元的关键尺寸的比对结果，确定所述掩模版的定位精度；其中，所述基准曝光单元为使用所述掩模版对光片进行曝光操作所形成的曝光单元。本申请可以解决相关技术中无法准确反应该掩模版在实际光刻套刻过程中的实际定位精度的问题。