掩模、掩模制造方法及掩模组件
公开
摘要
在此公开了一种掩模、掩模组件和制造掩模的方法。所述掩模包括：聚合物膜，在其中限定有至少一个单元区域和至少一个外围区域，所述至少一个外围区域围绕所述至少一个单元区域；导电层，设置在聚合物膜上并且包括金属；无机层，设置在聚合物膜和导电层之间并且包括硅基无机材料；以及多个孔，穿透聚合物膜、导电层和无机层并且在平面图中与所述至少一个单元区域叠置。
基本信息
专利标题 ：
掩模、掩模制造方法及掩模组件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114438443A
申请号 ：
CN202111247421.0
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-10-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
孙智熙文敏浩文英慜宋昇勇李璱任星淳
申请人 ：
三星显示有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道龙仁市
代理机构 ：
北京铭硕知识产权代理有限公司
代理人 ：
尹淑梅
优先权 ：
CN202111247421.0
主分类号 ：
C23C14/04
IPC分类号 ：
C23C14/04 C23C16/04 C23C14/06 C23C14/08 C23C14/14 C23C14/24 C23C14/34 C23C16/06 C23C16/34 C23C16/40 C23C16/50
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/04
局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物
法律状态
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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