掩模组件及该掩模组件的制造方法
公开
摘要
提供一种掩模组件及该掩模组件的制造方法。掩模组件包括：掩模框架，在中央处定义有第一开口部，并包括围绕所述第一开口部且定义有至少一个凹部的外侧框架；掩模主体，与所述第一开口部对应地被布置，定义有在平面上的面积小于所述第一开口部的多个第二开口部；第一子掩模，布置于所述掩模主体的上部，在整个表面定义有在平面上的面积小于各个所述第二开口部的多个第三开口部，并利用金属物质形成；第二子掩模，布置于所述第一子掩模的上部，在整个表面定义有在平面上的面积小于各个所述第三开口部的多个第四开口部，并利用高分子物质形成；以及焊接部，在所述至少一个凹部的内部布置于所述第二子掩模的上部，据此，可提供低重量的大型掩模组件。
基本信息
专利标题 ：
掩模组件及该掩模组件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114540756A
申请号 ：
CN202111359997.6
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2021-11-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
文敏浩文英慜宋昇勇任星淳
申请人 ：
三星显示有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道龙仁市
代理机构 ：
北京铭硕知识产权代理有限公司
代理人 ：
全振永
优先权 ：
CN202111359997.6
主分类号 ：
C23C14/04
IPC分类号 ：
C23C14/04 H01L51/56 B23K26/362
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/04
局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物
法律状态
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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