掩模制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及掩模制造方法。本发明的掩模制造方法用于制造OLED像素形成用掩模，该方法包括以下步骤：(a)准备掩模金属膜；(b)在掩模金属膜的至少第一面上形成图案化的第一绝缘部；(c)在掩模金属膜的第一面上通过第一绝缘部图案间的空间形成副掩模图案；(d)通过夹设隔板绝缘部来粘合形成有副掩模图案的掩模金属膜的第一面与支撑基板；(e)使用与掩模金属膜的第一面相对的第二面上形成的第二绝缘部图案间的空间，在掩模金属膜上形成主掩模图案，从而制造掩模。
基本信息
专利标题 ：
掩模制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114481018A
申请号 ：
CN202111086659.X
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-09-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李炳一金奉辰李永浩
申请人 ：
悟劳茂材料公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京鸿元知识产权代理有限公司
代理人 ：
姜虎
优先权 ：
CN202111086659.X
主分类号 ：
C23C14/04
IPC分类号 ：
C23C14/04 H01L51/56
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/04
局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/04
申请日 : 20210916
申请日 : 20210916
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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