半色调掩模、光掩模坯和半色调掩模的制造方法

授权

摘要

本发明提供一种能够曝光细微光致抗蚀剂图案的多灰阶半色调掩模。其解决方法在于，在透明基板上形成有由半透膜的图案构成的半透过部和由相位偏移膜的图案构成的相位偏移部，相位偏移膜使曝光光的相位反转，相位偏移膜的透过率低于半透膜的透过率。并且，在半透过部与相位偏移部邻接的边界部，形成有半透膜、相位偏移膜和蚀刻阻挡膜的叠层膜，蚀刻阻挡膜由不被半透膜和相位偏移膜的蚀刻液蚀刻的材质构成。其结果，实现具有半色调的效果和相位偏移效果双方的光掩模。

基本信息

专利标题：

半色调掩模、光掩模坯和半色调掩模的制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN109983402A

申请号：

CN201780070660.9

公开（公告）日：

2019-07-05

申请日：

2017-12-25

授权号：

CN109983402B

授权日：

2022-04-22

发明人：

山田慎吾森山久美子美作昌宏

申请人：

株式会社SK电子

申请人地址：

日本京都府

代理机构：

北京尚诚知识产权代理有限公司

代理人：

龙淳

优先权：

CN201780070660.9

主分类号：

G03F1/32

IPC分类号：

G03F1/32 G03F7/40