光刻掩模基板,光刻掩模,曝光掩模,光刻掩模基板制造方法,...
授权
摘要
一种被曝光系统的掩模台吸附的光刻掩模基板，在光刻掩模基板的主表面上除了从外部外围端部表面向内2mm的区域，平面测量区域的平整度为0.6μm或者更小，光刻掩模基板主表面的一边被掩模台吸附，以及平面测量区域的四个角部分中的至少三个具有朝向外部外围边缘上升的形状。
基本信息
专利标题 ：
光刻掩模基板,光刻掩模,曝光掩模,光刻掩模基板制造方法,以及半导体装置制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1755519A
申请号 ：
CN200510107561.2
公开（公告）日 ：
2006-04-05
申请日 ：
2005-09-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
田边胜川口厚赤川裕之河原明宏
申请人 ：
HOYA株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
刘志平
优先权 ：
CN200510107561.2
主分类号 ：
G03F1/14
IPC分类号 ：
G03F1/14 G03F7/20 H01L21/027
相关图片
法律状态
2010-08-11 ：
授权
2007-09-19 ：
实质审查的生效
2006-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN1755519B.PDF
PDF下载
2、
CN1755519A.PDF
PDF下载
