在校正光刻掩模中使用掩模制造模型
公开
摘要
光刻过程通过光刻掩模的设计和光刻配置的描述来描述，其可以包括光刻源、收集/照射光学器件、投影光学器件、抗蚀剂和/或后续制造步骤。实际的光刻过程使用从掩模设计制造的光刻掩模，该光刻掩模可以与标称掩模设计不同。掩模制造模型对从掩模设计制造光刻掩模的过程进行建模。通常，这是一种电子束(e‑beam)过程，该过程包括电子束曝光掩模坯上的抗蚀剂、处理经曝光的抗蚀剂以形成图案化抗蚀剂、以及利用图案化抗蚀剂蚀刻掩模坯。掩模制造模型通常与其他过程模型一起用于估计光刻过程的结果。然后基于仿真结果将掩模校正应用于掩模设计。
基本信息
专利标题 ：
在校正光刻掩模中使用掩模制造模型
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114556210A
申请号 ：
CN202080072256.7
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2020-11-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
L·S·梅尔文三世K·J·胡克
申请人 ：
美商新思科技有限公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
董莘
优先权 ：
CN202080072256.7
主分类号 ：
G03F1/70
IPC分类号 ：
G03F1/70 G03F7/20
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1/00
用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1/68
未包含在G03F1/20至G03F1/50组中的制备工艺
G03F1/70
与平版印刷工艺要求相适应的掩膜的基板布局或设计，例如掩膜图案成像的第二次迭代校正
法律状态
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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