光刻掩模和用于生成光刻掩模的方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要

用于在衬底上对抗蚀剂层进行光刻制图的具有第一区域(50、52、54、56)以及第二和第三区域(60、62、64、66、70、72、74、76)的光刻掩模,在第一区域中光刻掩模(14)具有不透明层,第二和第三区域在光刻掩模的光学厚度方面不同且在其中光刻掩模至少是半透明的。光刻掩模包括具有交替布置并且被第一区域(50)环绕的多个第二区域(62、64)和多个第三区域(72、74)的第一段(44),用于以小于预定临界距离的距离光刻生成抗蚀剂开口(34、36)。该光刻掩模还包括具有多个第三区域(70、76)的第二段(42、46),每个第三区域都被第二区域环绕,该第二区域被多重连接的第一区域环绕,用于以大于预定临界距离的距离光刻生成抗蚀剂开口(32、38)。

基本信息
专利标题 :
光刻掩模和用于生成光刻掩模的方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1828409A
申请号 :
CN200610055091.4
公开(公告)日 :
2006-09-06
申请日 :
2006-03-03
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
T·亨克尔R·克勒C·内尔谢尔K·伦纳
申请人 :
英飞凌科技股份公司
申请人地址 :
德国慕尼黑
代理机构 :
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 :
程天正
优先权 :
CN200610055091.4
主分类号 :
G03F1/00
IPC分类号 :
G03F1/00  G03F7/20  H01L21/027  
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1/00
用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
法律状态
2009-12-30 :
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-10-25 :
实质审查的生效
2006-09-06 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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