晶圆光刻掩模和其制造方法与其晶圆光刻方法

发明专利申请公布后的驳回

摘要

本发明提供一种多项目晶圆(MPW)制造的光刻掩模与其制造方法和其应用所述掩模的晶圆制造方法，所述掩模包含一遮光层和至少一个可透光区域，所述掩模用以选择MPW光罩上项目的图案曝光到晶圆表面光阻层。所述多项目晶圆制造的光刻制程方法主要是利用配置一可以选择MPW光罩曝光成像区域的掩模于一MPW光罩与一光刻光源或所述MPW光罩与晶圆之间的光线行进路线上，用以避免一些在所述MPW光罩上不希望制造的图案在晶圆上被制造出来，因而降低晶圆和光刻制程的浪费。

基本信息

专利标题：

晶圆光刻掩模和其制造方法与其晶圆光刻方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101038435A

申请号：

CN200610057084.8

公开（公告）日：

2007-09-19

申请日：

2006-03-17

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

蔡士成林荣彬

申请人：

蔡士成

申请人地址：

中国台湾彰化县二水乡

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司

代理人：

王允方

优先权：

CN200610057084.8

主分类号：

G03F1/14

IPC分类号：

G03F1/14 G03F7/20 H01L21/027