掩模制造方法及掩模
公开
摘要
本发明涉及掩模制造方法以及掩模。根据本发明的掩模制造方法，所述掩模包括至少一个掩模片材及附着有掩模片材的框架且用于形成OLED像素，该方法包括以下步骤：(a)准备支撑板，所述支撑板粘合有形成有多个开口图案的掩模片材；(b)将掩模片材对应至包括至少一个掩蔽区的框架中的一个掩蔽区上；(c)将掩模片材附着到框架上，在步骤(a)中，掩模片材包括单元部及单元部外围的副框架部，单元部上形成有多个开口图案，且副框架部比单元部厚。
基本信息
专利标题 ：
掩模制造方法及掩模
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114293170A
申请号 ：
CN202111149555.9
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-09-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李永浩
申请人 ：
韩商则舒穆公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京鸿元知识产权代理有限公司
代理人 ：
姜虎
优先权 ：
CN202111149555.9
主分类号 ：
C23C16/04
IPC分类号 ：
C23C16/04
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/04
局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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