掩模支撑模板的制造方法、掩模支撑模板及框架一体型掩模的制...
公开
摘要
本发明涉及掩模支撑模板的制造方法、掩模支撑模板及框架一体型掩模的制造方法。本发明的掩模支撑模板的制造方法，该掩模支撑模板用于支撑OLED像素形成用掩模并将掩模对应至框架，所述方法包括以下步骤：(a)将掩模金属膜粘合到转移衬底；(b)在与粘合有转移衬底的掩模金属膜一面相对的另一面上形成副掩模图案；(c)将转移衬底剥离；(d)在形成有副掩模图案的掩模金属膜的另一面上形成隔板绝缘部，并将掩模金属膜的另一面以夹设隔板绝缘部的方式粘合在模板上；(e)在掩模金属膜的一面上缩减掩模金属膜的厚度；(f)通过在掩模金属膜的一面上形成主掩模图案来制造掩模。
基本信息
专利标题 ：
掩模支撑模板的制造方法、掩模支撑模板及框架一体型掩模的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114293145A
申请号 ：
CN202111030873.3
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-09-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李炳一金奉辰李永浩
申请人 ：
悟勞茂材料公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京鸿元知识产权代理有限公司
代理人 ：
姜虎
优先权 ：
CN202111030873.3
主分类号 ：
C23C14/04
IPC分类号 ：
C23C14/04 C23C14/12 H01L51/56
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/04
局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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