掩模板防静电环和掩模板

授权

摘要

本实用新型涉及一种掩模板防静电环和掩模板；具体的该掩模板防静电环包括：环状本体，所述环状本体包围掩模板的透光区域，所述环状本体的宽度介于0.4毫米至1毫米之间；所述环状本体包括第一边、第二边、第三边和第四边；所述第一边和所述第二边平行且间隔设置，所述第三边和所述第四边平行且间隔设置，所述第一边和所述第二边均沿第一方向延伸，所述第三边和所述第四边均沿第二方向延伸，所述第一边、所述第二边、所述第三边和所述第四边的宽度均相同。上述掩模板防静电环通过改进环状本体的宽度，将环状本体的宽度调整至0.4毫米至1毫米之间，不仅能够有效的起到静电防护作用，还有效的避免了在曝光时在硅片上形成鬼影，保证了硅片进行光刻的成品率。

基本信息

专利标题：

掩模板防静电环和掩模板

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020152404.3

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-02-05

授权号：

CN211603836U

授权日：

2020-09-29

发明人：

许喆

申请人：

和舰芯片制造（苏州）股份有限公司

申请人地址：

江苏省苏州市苏州工业园区星华街333号

代理机构：

北京连和连知识产权代理有限公司

代理人：

杨帆

优先权：

CN202020152404.3

主分类号：

G03F1/40

IPC分类号：

G03F1/40