掩模框架、掩模板以及掩模结构
实质审查的生效
摘要

本发明涉及一种掩模框架、掩模板以及掩模结构,主框体,围合形成蒸镀区域;及遮挡条,设于主框体并至少部分位于蒸镀区域内;其中,遮挡条具有支撑面、限位面以及连接面,支撑面和限位面在第一方向上间隔设置,连接面连接于支撑面和限位面之间,支撑面、限位面以及连接面共同界定形成限位槽,限位槽用于限制掩模板移动。上述掩模框架,当磁板产生的磁场与基板的压力作用于掩模板时,在限位槽的限位作用下,掩模板无法在平行于蒸镀面的平面内相对掩模框架产生过大的偏移,从而避免因掩模板的移动导致蒸镀形成的显示面板发生混色不良现象,进而提高了显示面板的良品率。

基本信息
专利标题 :
掩模框架、掩模板以及掩模结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114381687A
申请号 :
CN202111512104.7
公开(公告)日 :
2022-04-22
申请日 :
2021-12-07
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
王建强
申请人 :
合肥维信诺科技有限公司
申请人地址 :
安徽省合肥市新站区魏武路与新蚌埠路交口西南角
代理机构 :
北京华进京联知识产权代理有限公司
代理人 :
金铭
优先权 :
CN202111512104.7
主分类号 :
C23C14/04
IPC分类号 :
C23C14/04  C23C14/24  C23C14/12  H01L51/56  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/04
局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物
法律状态
2022-05-10 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/04
申请日 : 20211207
2022-04-22 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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