框架一体型掩模的制造方法及框架一体型掩模的掩模分离/替换...
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摘要
本发明涉及框架一体型掩模的制造方法及框架一体型掩模的掩模分离/替换方法。本发明涉及框架一体型掩模的制造方法，该框架一体型掩模由多个掩模和用于支撑掩模的框架一体形成，该方法包括：(a)准备模板上粘合有掩模的掩模支撑模板的步骤，掩模上形成有多个掩模图案；(b)将包括具有多个掩模单元区域的框架的工艺区域的温度上升至第一温度的步骤；(c)将模板装载在框架上并将掩模对应至框架的掩模单元区域的步骤；(d)将掩模附着在框架上的步骤；(e)反复步骤(c)至步骤(d)将掩模附着至框架的所有掩模单元区域的步骤；(f)将包括框架的工艺区域的温度下降至第二温度的步骤。
基本信息
专利标题 ：
框架一体型掩模的制造方法及框架一体型掩模的掩模分离/替换方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111218644A
申请号 ：
CN201911173364.9
公开（公告）日 ：
2020-06-02
申请日 ：
2019-11-26
授权号 ：
CN111218644B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
李炳一张泽龙
申请人 ：
TGO科技株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京鸿元知识产权代理有限公司
代理人 ：
姜虎
优先权 ：
CN201911173364.9
主分类号 ：
C23C14/04
IPC分类号 ：
C23C14/04 C25D1/10
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/04
局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2020-06-26 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/04
申请日 : 20191126
申请日 : 20191126
2020-06-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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