相移掩模坯料、相移掩模的制造方法和相移掩模
公开
摘要
本发明涉及相移掩模坯料、相移掩模的制造方法和相移掩模。相移掩模坯料，包括透明基板、在透明基板上形成的刻蚀保护膜、和与刻蚀保护膜接触地形成的相移膜，其中曝光光是ArF准分子激光。刻蚀保护膜包含含有铪和氧、或者铪、硅和氧的材料，并具有1至30nm的厚度和相对于曝光光不小于85％的透射率，并且相移膜包含含有硅且不含铪的材料，并具有50至90nm的厚度。
基本信息
专利标题 ：
相移掩模坯料、相移掩模的制造方法和相移掩模
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114442420A
申请号 ：
CN202111268300.4
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-10-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
三村祥平松桥直树高坂卓郎
申请人 ：
信越化学工业株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国贸促会专利商标事务所有限公司
代理人 ：
谭冀
优先权 ：
CN202111268300.4
主分类号 ：
G03F1/26
IPC分类号 ：
G03F1/26 G03F1/80
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1/00
用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1/26
相移掩膜；PSM空白；其制备
法律状态
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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