掩模坯料及其透明基片的制造方法,曝光掩模的制造方法
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摘要

一种方法,包括:准备步骤,在该步骤中,准备具有精密抛光的主表面的透明基片;表面形状信息获取步骤,在该步骤中,作为表面形状信息,获取在和曝光装置的掩模台接触的透明基片的主表面上的多个测量点处的高度信息;模拟步骤,在步骤中,根据表面形状信息和掩模台的形状信息,通过模拟将透明基片装入到曝光装置上的状态,获取向多个测量点处的高度信息;平坦度计算步骤,在该步骤中,根据通过模拟活动物的高度信息,计算出当将其装入到曝光装置中时、所述透明基片的平坦度;判断步骤,在该步骤中,判断所计算出来的平坦度是否满足技术标准;以及薄膜形成步骤,在该步骤中,作为掩模图形,在其平坦度满足技术标准的透明基片的主表面上形成薄膜。

基本信息
专利标题 :
掩模坯料及其透明基片的制造方法,曝光掩模的制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1862376A
申请号 :
CN200610051433.5
公开(公告)日 :
2006-11-15
申请日 :
2006-02-24
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
田边胜
申请人 :
HOYA株式会社
申请人地址 :
日本东京都
代理机构 :
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 :
史雁鸣
优先权 :
CN200610051433.5
主分类号 :
G03F1/00
IPC分类号 :
G03F1/00  G03F7/20  H01L21/027  
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1/00
用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
法律状态
2011-05-04 :
授权
2008-03-12 :
实质审查的生效
2006-11-15 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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