掩模坯料、相移掩模、相移掩模的制造方法及半导体器件的制造方法

掩模坯料、相移掩模、相移掩模的制造方法及半导体器件的制造...

授权

摘要

本发明将具有由氮化硅材料构成的单层的相移膜中难以实现的20％以上的透过率的相移膜通过具有两组以上的由从透光性基板侧起依次配置的低透过层和高透过层构成为一组层叠结构的结构实现，且提供具备这种相移膜的掩模坯料。在透光性基板上具备相移膜的掩模坯料中，相移膜具有使ArF准分子激光的曝光光以20％以上的透过率透过的功能，相移膜具有两组以上的由低透过层和高透过层构成为一组的层叠结构，且低透过层由氮化硅系材料形成，高透过层由氧化硅系材料形成，设置于最上的高透过层的厚度比设置于最上以外的高透过层的厚度厚，低透过层的厚度比设置于最上以外的高透过层的厚度厚。

基本信息

专利标题：

掩模坯料、相移掩模、相移掩模的制造方法及半导体器件的制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN109643056A

申请号：

CN201780050888.1

公开（公告）日：

2019-04-16

申请日：

2017-08-02

授权号：

CN109643056B

授权日：

2022-05-03

发明人：

岩下浩之松本淳志野泽顺

申请人：

HOYA株式会社

申请人地址：

日本东京都

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

朴渊

优先权：

CN201780050888.1

主分类号：

G03F1/32

IPC分类号：

G03F1/32 G03F1/26 G03F1/58 H01L21/3065