修正掩模图案的方法、光掩模和半导体器件及其制造方法

专利权的终止

摘要

修正掩模图案的方法、光掩模、制造光掩模的方法、制造光掩模的电子束写入方法、曝光方法、半导体器件、和半导体器件的制造方法。提供一种形成在用于半导体器件制造工艺的光刻步骤中的光掩模上的掩模图案的修正方法。该方法包括以下步骤：从掩模图案选取具有光学孤立部分的孤立图案，并在与孤立图案的孤立部分平行延伸且具有端部的邻接图案中，提供从邻接孤立图案的孤立部分的端部沿孤立图案的孤立部分延伸的方向延伸的延伸部分。

基本信息

专利标题：

修正掩模图案的方法、光掩模和半导体器件及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1800985A

申请号：

CN200510137393.1

公开（公告）日：

2006-07-12

申请日：

2005-11-30

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

小川和久中村聪美川原和义

申请人：

索尼株式会社

申请人地址：

日本东京都

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

优先权：

CN200510137393.1

主分类号：

G03F7/20

IPC分类号：

G03F7/20 G03F1/08 H01L21/027