图案形成方法、半导体装置的制造方法及曝光用掩模装置
专利权的终止
摘要
本发明获得可高精度形成包含栅格图案和通常图案的光刻胶图案的图案形成方法。首先，采用2灯照明，仅仅将栅格图案形成区域作为实质的曝光对象，执行第1曝光处理。接着，仅仅将通常图案形成区域作为实质的曝光对象，执行第2曝光处理。然后，进行显影处理，获得光刻胶图案。上述第1曝光处理用的掩模中，通常图案形成区域对应的通常图案用掩模部在整个面用遮光图案形成，第2曝光处理用的掩模中，栅格图案形成区域对应的栅格图案用掩模部在整个面用遮光图案形成。
基本信息
专利标题 ：
图案形成方法、半导体装置的制造方法及曝光用掩模装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1790167A
申请号 ：
CN200510118841.3
公开（公告）日 ：
2006-06-21
申请日 ：
2005-10-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
石桥健夫齐藤隆幸伊藤麻矢中尾修治
申请人 ：
株式会社瑞萨科技
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
杨凯
优先权 ：
CN200510118841.3
主分类号 ：
G03F7/20
IPC分类号 ：
G03F7/20 G03F7/00 H01L21/027 H01L21/00
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2020-10-16 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : G03F 7/20
申请日 : 20051027
授权公告日 : 20091202
终止日期 : 20191027
申请日 : 20051027
授权公告日 : 20091202
终止日期 : 20191027
2017-12-22 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : G03F 7/20
变更事项 : 专利权人
变更前 : 瑞萨电子株式会社
变更后 : 瑞萨电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本神奈川县川崎市
变更后 : 日本东京都
变更事项 : 专利权人
变更前 : 瑞萨电子株式会社
变更后 : 瑞萨电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本神奈川县川崎市
变更后 : 日本东京都
2010-11-10 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101038388326
IPC(主分类) : G03F 7/20
专利号 : ZL2005101188413
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 株式会社瑞萨科技
变更后权利人 : 瑞萨电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京都
变更后权利人 : 日本神奈川县川崎市
登记生效日 : 20100925
号牌文件序号 : 101038388326
IPC(主分类) : G03F 7/20
专利号 : ZL2005101188413
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 株式会社瑞萨科技
变更后权利人 : 瑞萨电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京都
变更后权利人 : 日本神奈川县川崎市
登记生效日 : 20100925
2009-12-02 ：
授权
2007-12-26 ：
实质审查的生效
2006-06-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN1790167A.PDF
PDF下载
2、
CN100565347C.PDF
PDF下载
