曝光装置和使用该曝光装置的半导体器件制造方法
专利权的终止
摘要
当用多个激光器进行半导体膜的退火时，各个激光辐照区域之间的距离是不同的。在该步骤之后，当根据预先在基板上所形成的标记进行光刻步骤时，并没有对用激光使之结晶的那部分进行适当的曝光。通过将激光辐照步骤中所获得的激光辐照区域作为标记，便可通过步进电机使曝光位置与激光辐照区域中的大晶粒尺寸区域相一致进行曝光。通过利用在大晶粒尺寸区域和弱结晶区域之间散射光强是不同的这一事实，便可检测出大晶粒尺寸区域和弱结晶区域，由此确定曝光的位置。
基本信息
专利标题 ：
曝光装置和使用该曝光装置的半导体器件制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101088144A
申请号 ：
CN200580044198.2
公开（公告）日 ：
2007-12-12
申请日 ：
2005-12-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
田中幸一郎山本良明
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
李玲
优先权 ：
CN200580044198.2
主分类号 ：
H01L21/027
IPC分类号 ：
H01L21/027 H01L21/20 H01L21/336 H01L29/786
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/027
未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
法律状态
2018-12-07 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/027
申请日 : 20051221
授权公告日 : 20120328
终止日期 : 20171221
申请日 : 20051221
授权公告日 : 20120328
终止日期 : 20171221
2012-03-28 ：
授权
2008-02-13 ：
实质审查的生效
2007-12-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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