衬底保持装置、曝光装置以及器件制造方法
专利权的终止
摘要
本发明提供一种可以将浸入了衬底的背面侧的液体迅速地回收的衬底保持装置。衬底保持装置(PH)具备：基材(PHB)；形成于基材(PHB)上，支承衬底(P)的背面(Pb)的第一支承部(46)；形成于基材(PHB)上，与衬底(P)的背面(Pb)相对，包围第一支承部(46)而设置的第一周壁部(42)；和设于第一周壁部(42)的外侧的第一回收口(51)；利用沿着第一周壁部(42)的气流，将第一周壁部(42)的外侧的液体(LQ)移动至第一回收口(51)而回收。
基本信息
专利标题 ：
衬底保持装置、曝光装置以及器件制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101076877A
申请号 ：
CN200580042429.6
公开（公告）日 ：
2007-11-21
申请日 ：
2005-12-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
涩田慎
申请人 ：
株式会社尼康
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
雒运朴
优先权 ：
CN200580042429.6
主分类号 ：
H01L21/027
IPC分类号 ：
H01L21/027 G03F7/20 H01L21/683
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/027
未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
法律状态
2020-11-27 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/027
申请日 : 20051214
授权公告日 : 20091230
终止日期 : 20191214
申请日 : 20051214
授权公告日 : 20091230
终止日期 : 20191214
2009-12-30 ：
授权
2008-02-06 ：
实质审查的生效
2007-11-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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