曝光装置、曝光方法及组件制造方法
专利权的终止
摘要
提供一种曝光装置(EX)，以液体(LQ)充满投影光学系统(PL)像面侧之光路空间，透过投影光学系统(PL)与液体(LQ)使基板(P)曝光。曝光装置(EX)具备用以测量液体(LQ)之光学特性的测量装置(30)。可根据测量结果以液体混合装置(19)来调整液体之光学特性。能将液浸曝光时之曝光精度维持于所希望状态。
基本信息
专利标题 ：
曝光装置、曝光方法及组件制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101031996A
申请号 ：
CN200580032801.5
公开（公告）日 ：
2007-09-05
申请日 ：
2005-10-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
长坂博之
申请人 ：
株式会社尼康
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
许海兰
优先权 ：
CN200580032801.5
主分类号 ：
H01L21/027
IPC分类号 ：
H01L21/027 G03F7/20
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/027
未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
法律状态
2020-10-02 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/027
申请日 : 20051012
授权公告日 : 20090408
终止日期 : 20191012
申请日 : 20051012
授权公告日 : 20090408
终止日期 : 20191012
2009-04-08 ：
授权
2007-10-31 ：
实质审查的生效
2007-09-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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