曝光装置及元件制造方法
授权
摘要
提供能掌握装置状态、防止液体流出或飞散的曝光装置。曝光装置(EX)具备：显示装置(D)，系显示以液体(LQ)充满曝光用光(EL)的光路空间(K1)时的进行状况、以及从光路空间(K1)去除液体(LQ)时的进行状况的至少一个。
基本信息
专利标题 ：
曝光装置及元件制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101002303A
申请号 ：
CN200580027131.8
公开（公告）日 ：
2007-07-18
申请日 ：
2005-12-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
中川智晶
申请人 ：
尼康股份有限公司
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
任默闻
优先权 ：
CN200580027131.8
主分类号 ：
H01L21/027
IPC分类号 ：
H01L21/027 G03F7/20
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/027
未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
法律状态
2012-05-23 ：
授权
2007-09-12 ：
实质审查的生效
2007-07-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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