曝光方法、电子元件制造方法、曝光装置以及照明光学装置
专利权的终止
摘要
本发明的目的在于提供一种高解析度且廉价的曝光方法，其是在形成构成电子元件的微细图案时所使用的适宜的曝光方法。本发明的曝光方法包括：将两个绕射光栅串联于光路中，且将构成电子元件的晶圆等与两个绕射光栅以特定间隔进行配置，并使绕射光栅所产生的干涉条纹的明暗图案在晶圆等上曝光。根据需要，改变半导体晶圆与该绕射光栅的位置关系并进行上述曝光。
基本信息
专利标题 ：
曝光方法、电子元件制造方法、曝光装置以及照明光学装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101128917A
申请号 ：
CN200680005833.0
公开（公告）日 ：
2008-02-20
申请日 ：
2006-02-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
市原裕中村绫子白石直正谷元昭一工藤祐司
申请人 ：
株式会社尼康
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
北京中原华和知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
寿宁
优先权 ：
CN200680005833.0
主分类号 ：
H01L21/027
IPC分类号 ：
H01L21/027 G03F7/20
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/027
未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
法律状态
2016-04-06 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101654740760
IPC(主分类) : G03F 7/20
专利号 : ZL2006800058330
申请日 : 20060223
授权公告日 : 20111123
终止日期 : 20150223
号牌文件序号 : 101654740760
IPC(主分类) : G03F 7/20
专利号 : ZL2006800058330
申请日 : 20060223
授权公告日 : 20111123
终止日期 : 20150223
2011-11-23 ：
授权
2008-04-16 ：
实质审查的生效
2008-02-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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