曝光装置、曝光方法及组件制造方法
专利权的终止
摘要
提供一种曝光装置、曝光方法及组件制造方法。曝光装置(EX)具备测量装置(60)，该测量装置(60)在与曝光对象之基板(P)不同之物体上形成有液浸区域(LR)之状态下，对液体(LQ)之性质与成分中至少一者进行测量。所提供之曝光装置，可事先判断液体之状态，施以适当的处理，以此，透过液体来高精度进行曝光处理与测量处理。
基本信息
专利标题 ：
曝光装置、曝光方法及组件制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101044593A
申请号 ：
CN200580035594.9
公开（公告）日 ：
2007-09-26
申请日 ：
2005-12-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
木田佳己
申请人 ：
株式会社尼康
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
许海兰
优先权 ：
CN200580035594.9
主分类号 ：
H01L21/027
IPC分类号 ：
H01L21/027 G03F7/20
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/027
未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
法律状态
2020-11-17 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/027
申请日 : 20051209
授权公告日 : 20100505
终止日期 : 20191209
申请日 : 20051209
授权公告日 : 20100505
终止日期 : 20191209
2010-05-05 ：
授权
2007-11-21 ：
实质审查的生效
2007-09-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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