曝光装置及器件制造方法
专利权的终止
摘要
本发明提供一种可以抑制液体的残留的曝光装置。曝光装置(EX)具备：可保持衬底(P)并移动的衬底载台(ST1)；可与衬底载台(ST1)独立地移动的计测载台(ST2)；在衬底载台(ST1)及计测载台(ST2)的至少一个的载台的上面形成液体(LQ)的浸液区域(LR)的浸液机构(12等)。在计测载台(ST2)的上面，设有可回收液体(LR)的回收口(51)。
基本信息
专利标题 ：
曝光装置及器件制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101048854A
申请号 ：
CN200580037186.7
公开（公告）日 ：
2007-10-03
申请日 ：
2005-10-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
藤原朋春柴崎祐一
申请人 ：
株式会社尼康
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
雒运朴
优先权 ：
CN200580037186.7
主分类号 ：
H01L21/027
IPC分类号 ：
H01L21/027 G03F7/20
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/027
未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
法律状态
2020-10-20 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : G03F 7/20
申请日 : 20051031
授权公告日 : 20090826
终止日期 : 20191031
申请日 : 20051031
授权公告日 : 20090826
终止日期 : 20191031
2009-08-26 ：
授权
2007-12-26 ：
实质审查的生效
2007-10-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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