计测方法、曝光方法以及器件制造方法
授权
摘要
本发明由于向配置于投影光学系统(PL)的物体面侧的遮光图案(MPn)照射光，一边使配置于投影光学系统的像面侧的空间像计测装置的狭缝(29x、29y)在与投影光学系统的光轴垂直的面内移动，一边检测通过了投影光学系统及狭缝的光的光强度分布，根据该光强度分布计算与所述投影光学系统的眩光相关的信息，因此可以排除在以往的印相法中所用的涂敷于晶片上的抗蚀剂的影响，可以实现高精度的与眩光相关的信息的计测。另外，由于不需要晶片的显影工序等，因此可以在比印相法更短的时间内进行与眩光相关的信息的计测。
基本信息
专利标题 ：
计测方法、曝光方法以及器件制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101031997A
申请号 ：
CN200580032860.2
公开（公告）日 ：
2007-09-05
申请日 ：
2005-09-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
萩原恒幸
申请人 ：
株式会社尼康
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
雒运朴
优先权 ：
CN200580032860.2
主分类号 ：
H01L21/027
IPC分类号 ：
H01L21/027 G03F7/20
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/027
未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
法律状态
2011-11-02 ：
授权
2007-11-28 ：
实质审查的生效
2007-09-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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