衬底处理方法、曝光装置及器件制造方法
专利权的终止
摘要
本发明提供一种衬底处理方法，该方法包括：在衬底上形成第一液体的浸液区域，并借助第一液体向衬底上照射曝光用光而将衬底曝光的曝光工序(S7)；在曝光工序之前将衬底浸渍于第二液体中的浸渍工序(S3)。根据本发明，可以抑制由伴随着浸液曝光产生的附着痕迹造成的不良状况的发生。
基本信息
专利标题 ：
衬底处理方法、曝光装置及器件制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101044594A
申请号 ：
CN200580035989.9
公开（公告）日 ：
2007-09-26
申请日 ：
2005-10-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
中野胜志奥村正彦杉原太郎水谷刚之藤原朋春
申请人 ：
株式会社尼康
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
雒运朴
优先权 ：
CN200580035989.9
主分类号 ：
H01L21/027
IPC分类号 ：
H01L21/027 G03F7/38 G03F7/20
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/027
未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
法律状态
2020-10-13 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : G03F 7/38
申请日 : 20051025
授权公告日 : 20100512
终止日期 : 20191025
申请日 : 20051025
授权公告日 : 20100512
终止日期 : 20191025
2010-05-12 ：
授权
2007-12-26 ：
实质审查的生效
2007-09-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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