曝光方法、电子元件制造方法、曝光装置及照明光学装置
专利权的终止
摘要
本发明的目的是提供一种适合在构成电子元件的微细图案的形成中所使用的曝光方法，并为高解析度且廉价的曝光方法。该曝光方法包括：配置邻接于构成电子元件的晶圆等的绕射光栅，并对该绕射光栅照射具有设定的入射角度特性的照明光而进行对晶圆的曝光。依据需要，变更半导体晶圆和该绕射光栅的位置关系，以进行上述曝光。
基本信息
专利标题 ：
曝光方法、电子元件制造方法、曝光装置及照明光学装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101103442A
申请号 ：
CN200680002249.X
公开（公告）日 ：
2008-01-09
申请日 ：
2006-01-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
白石直正
申请人 ：
株式会社尼康
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
北京中原华和知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
寿宁
优先权 ：
CN200680002249.X
主分类号 ：
H01L21/027
IPC分类号 ：
H01L21/027 G03F7/20
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/027
未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
法律状态
2016-03-16 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101650104503
IPC(主分类) : H01L 21/027
专利号 : ZL200680002249X
申请日 : 20060113
授权公告日 : 20110511
终止日期 : 20150113
号牌文件序号 : 101650104503
IPC(主分类) : H01L 21/027
专利号 : ZL200680002249X
申请日 : 20060113
授权公告日 : 20110511
终止日期 : 20150113
2011-05-11 ：
授权
2008-02-27 ：
实质审查的生效
2008-01-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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