曝光方法、电子元件制造方法、曝光装置及照明光学装置

专利权的终止

摘要

本发明的目的是提供一种适合在构成电子元件的微细图案的形成中所使用的曝光方法，并为高解析度且廉价的曝光方法。该曝光方法包括：配置邻接于构成电子元件的晶圆等的绕射光栅，并对该绕射光栅照射具有设定的入射角度特性的照明光而进行对晶圆的曝光。依据需要，变更半导体晶圆和该绕射光栅的位置关系，以进行上述曝光。

基本信息

专利标题：

曝光方法、电子元件制造方法、曝光装置及照明光学装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101566803A

申请号：

CN200910136484.1

公开（公告）日：

2009-10-28

申请日：

2006-01-13

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

白石直正

申请人：

株式会社尼康

申请人地址：

日本东京千代田区丸之内3丁目2番3号

代理机构：

北京中原华和知识产权代理有限责任公司

代理人：

寿宁

优先权：

CN200910136484.1

主分类号：

G03F7/20

IPC分类号：

G03F7/20

IPC结构图谱

G部——物理

G03

摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术

G03F

图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备

G03F7/00

图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备

G03F7/20

曝光及其设备

法律状态

2016-03-09 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101650103179
IPC(主分类) : G03F 7/20
专利号 : ZL2009101364841
申请日 : 20060113
授权公告日 : 20130102
终止日期 : 20150113

2013-01-02 ：

授权

2009-12-23 ：

实质审查的生效

2009-10-28 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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1、

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