曝光装置、曝光方法以及器件制造方法
专利权的终止
摘要
本发明提供一种曝光装置(EX)，经由投影光学系统(PL)向衬底(W)照射曝光用光(EL)而使衬底(W)曝光。投影光学系统(PL)具有最靠近该投影光学系统(PL)的像面的第1光学元件(LS1)、次于第1光学元件(LS1)地靠近上述像面的第2光学元件(LS2)。曝光装置(EX)具备：浸液机构(2)，向第2光学元件(LS2)的底面(T3)侧的第1空间(K1)内填充液体(LQ)；气体置换装置(3)，向第2光学元件(LS2)的顶面(T4)侧的第2空间(K2)内填充气体；以及调整机构，调整第1空间(K1)的液体(LQ)的压力与第2空间(K2)的气体压力的压力差。
基本信息
专利标题 ：
曝光装置、曝光方法以及器件制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101069265A
申请号 ：
CN200580041269.3
公开（公告）日 ：
2007-11-07
申请日 ：
2005-12-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
冈田尚也
申请人 ：
株式会社尼康
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
雒运朴
优先权 ：
CN200580041269.3
主分类号 ：
H01L21/027
IPC分类号 ：
H01L21/027 G02B7/02 G03F7/20
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/027
未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
法律状态
2016-01-20 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101643314311
IPC(主分类) : H01L 21/027
专利号 : ZL2005800412693
申请日 : 20051202
授权公告日 : 20090429
终止日期 : 20141202
号牌文件序号 : 101643314311
IPC(主分类) : H01L 21/027
专利号 : ZL2005800412693
申请日 : 20051202
授权公告日 : 20090429
终止日期 : 20141202
2009-04-29 ：
授权
2008-01-02 ：
实质审查的生效
2007-11-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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