量测设备、测量结构的方法、器件制造方法
授权
摘要
披露了用于测量形成在衬底上的结构的量测设备和方法。在一种布置中，选择性提取在从所述结构反射之后的辐射束的不同的分量且独立地检测所述不同的分量。对于每个分量，从所述结构下游的光学系统的下游光瞳平面中的多个预定区中的一个预定区选择辐射。进一步从两个预定的正交偏振状态中的一个预定的正交偏振状态选择辐射。针对包括从所述下游光瞳平面中的不同的预定区选择的辐射的分量的至少一个子集中的每个，所述预定的正交偏振状态作为一对而被不同地定向。
基本信息
专利标题 ：
量测设备、测量结构的方法、器件制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111316168A
申请号 ：
CN201880070939.1
公开（公告）日 ：
2020-06-19
申请日 ：
2018-10-10
授权号 ：
CN111316168B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
S·塔拉布莱恩A·E·A·科伦
申请人 ：
ASML荷兰有限公司
申请人地址 ：
荷兰维德霍温
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
王益
优先权 ：
CN201880070939.1
主分类号 ：
G03F7/20
IPC分类号 ：
G03F7/20 G01N21/956
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2020-07-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 7/20
申请日 : 20181010
申请日 : 20181010
2020-06-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
