测量器件制造过程的参数的方法和量测设备
实质审查的生效
摘要
本发明披露一种对器件制造过程的参数进行测量的方法。所述方法包括通过使用测量辐射照射衬底上的目标并且使用光学设备以检测由所述目标所散射的所述测量辐射来测量所述目标。所述目标包括具有第一周期性部件和第二周期性部件的目标结构。所述光学设备接收由所述测量辐射从所述目标结构的衍射所产生的辐射。所接收辐射包括将不会从所述测量辐射从单独的所述第一周期性部件的衍射接收到的、并且也将不会从所述测量辐射从单独的所述第二周期性部件的衍射接收到的至少一个衍射阶。
基本信息
专利标题 ：
测量器件制造过程的参数的方法和量测设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114527628A
申请号 ：
CN202210228451.5
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2017-10-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
A·齐亚托马斯A·维尔马B·韦斯特拉特恩
申请人 ：
ASML荷兰有限公司
申请人地址 ：
荷兰维德霍温
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
胡良均
优先权 ：
CN202210228451.5
主分类号 ：
G03F7/20
IPC分类号 ：
G03F7/20 G01N21/47
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2022-06-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 7/20
申请日 : 20171031
申请日 : 20171031
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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