光刻设备及器件制造方法
授权
摘要
一种光刻设备包括投射系统和单独可控单元阵列,投射系统配置成将辐射束以子辐射束阵列的形式投射到衬底上,而单独可控单元阵列配置成调制子辐射束以便在衬底上形成所需剂量图案。在时间上由局部曝光阵列组成所需剂量图案,其中至少相邻的局部曝光是以显著不同的时间成像的,并且其中每次局部曝光都由子辐射束之一产生。光刻设备还包括光栅化装置和数据处理装置,光栅化装置设置成将定义所需剂量图案的数据转换成代表图案中对应的点序列所需的剂量的数据序列,而数据处理装置配置成接收数据序列并构成适合于控制单独可控单元阵列的控制信号。
基本信息
专利标题 :
光刻设备及器件制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1797203A
申请号 :
CN200510003529.X
公开(公告)日 :
2006-07-05
申请日 :
2005-12-26
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
M·邦特科伊P·A·J·蒂内曼斯L·G·M·科斯塞斯M·C·J·M·范哈斯塞W·F·W·穆克胡塞
申请人 :
ASML荷兰有限公司
申请人地址 :
荷兰维尔德霍芬
代理机构 :
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 :
杨凯
优先权 :
CN200510003529.X
主分类号 :
G03F7/20
IPC分类号 :
G03F7/20 H01L21/027
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F7/00
图纹面,例如,印刷表面的照相制版如光刻工艺;图纹面照相制版用的材料,如:含光致抗蚀剂的材料;图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2009-05-13 :
授权
2007-12-26 :
实质审查的生效
2006-07-05 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
CN100487582C.PDF
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