光刻设备及器件制造方法
授权
摘要
一种光刻设备包括投射系统和单独可控单元阵列,所述投射系统配置成将辐射束以子辐射束阵列的形式投射到衬底上;所述单独可控单元阵列配置成调制子辐射束。所述设备还包括包含至少一个数据变换装置的数据路径,所述数据变换装置配置成至少部分将确定所需图案的数据转换成适合于控制单独可控单元阵列的控制信号,以便在衬底上实际地形成所需图案。所述数据变换装置配置成通过把点扩展函数矩阵的伪反演形式应用于表示所需图案的列矢量来实现所述转换。点扩展函数矩阵包括有关每一个光点的点扩展函数的形状和相对位置的信息,所述光点在给定时间由子辐射束之一曝光在衬底上。
基本信息
专利标题 :
光刻设备及器件制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1797207A
申请号 :
CN200510003548.2
公开(公告)日 :
2006-07-05
申请日 :
2005-12-23
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
P·A·J·蒂内曼斯J·J·M·巴塞曼斯L·C·乔里特斯马
申请人 :
ASML荷兰有限公司
申请人地址 :
荷兰维尔德霍芬
代理机构 :
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 :
杨凯
优先权 :
CN200510003548.2
主分类号 :
G03F7/20
IPC分类号 :
G03F7/20 H01L21/027
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F7/00
图纹面,例如,印刷表面的照相制版如光刻工艺;图纹面照相制版用的材料,如:含光致抗蚀剂的材料;图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2009-08-05 :
授权
2007-12-19 :
实质审查的生效
2006-07-05 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
CN100524030C.PDF
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2、
CN1797207A.PDF
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