光刻设备和器件制造方法

专利权的终止

摘要

为了补偿光刻投影设备中掩模的双折射，对掩模的双折射进行测量并将其作为双折射数据存储在数据存储装置中。将双折射补偿元件布置在光刻投影设备的光路中。按照所述调节能够在衬底级条件下最佳降低掩模双折射对极化状态的影响来确定对所述补偿元件的恰当的调节。

基本信息

专利标题：

光刻设备和器件制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1760763A

申请号：

CN200510113796.2

公开（公告）日：

2006-04-19

申请日：

2005-10-10

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

J·C·H·穆肯斯W·P·德博伊C·A·科勒

申请人：

ASML荷兰有限公司

申请人地址：

荷兰维尔德霍芬

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

杨凯

优先权：

CN200510113796.2

主分类号：

G03F7/20

IPC分类号：

G03F7/20 G02B26/08

IPC结构图谱

G部——物理

G03

摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术

G03F

图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备

G03F7/00

图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备

G03F7/20

曝光及其设备

法律状态

2020-09-25 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : G03F 7/20
申请日 : 20051010
授权公告日 : 20100120
终止日期 : 20191010

2010-01-20 ：

授权

2007-07-11 ：

实质审查的生效

2006-04-19 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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