光刻设备和器件制造方法

专利权的终止

摘要

通过适当地选择照射配置、掩模透射和掩模偏置，可以利用足够的曝光宽容度来将接触孔的复杂图案成像，以便以最小半节距k₁＝0.40或0.40以下进行制造。在一个实施例中，提出了利用光刻设备将掩模图案的图像转移到衬底上的方法。所述方法包括：利用包含轴上和轴外成分的照射配置来照射衰减相移掩模的掩模图案，所述照射的轴外成分是在光瞳边缘附近延伸的环形照射；以及将已照射掩模图案的图像投射到衬底上。

基本信息

专利标题：

光刻设备和器件制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1760764A

申请号：

CN200510116301.1

公开（公告）日：

2006-04-19

申请日：

2005-10-10

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

S·G·汉森

申请人：

ASML荷兰有限公司

申请人地址：

荷兰维尔德霍芬

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

杨凯

优先权：

CN200510116301.1

主分类号：

G03F7/20

IPC分类号：

G03F7/20 G03F7/00 H01L21/027

IPC结构图谱

G部——物理

G03

摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术

G03F

图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备

G03F7/00

图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备

G03F7/20

曝光及其设备

法律状态

2014-12-03 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101590515414
IPC(主分类) : G03F 7/20
专利号 : ZL2005101163011
申请日 : 20051010
授权公告日 : 20110216
终止日期 : 20131010

2011-02-16 ：

授权

2007-07-11 ：

实质审查的生效

2006-04-19 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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