光刻设备和器件制造方法
公开
摘要
一种光刻设备和器件制造方法，其中在剂量控制器中考虑来自EUV辐射源的带外辐射量，例如到达衬底的DUV辐射，以提供基于实际有效剂量的剂量控制，从而提供对带外辐射的影响的更好控制，例如带外辐射对抗蚀剂和成像的影响，特别是对由于取决于抗蚀剂类型的抗蚀剂的波长相关灵敏度的变化而对成像性能的影响。
基本信息
专利标题 ：
光刻设备和器件制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114556225A
申请号 ：
CN202080072248.2
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2020-10-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘飞黄壮雄N·V·戴维多瓦I·V·福门科夫H·克鲁维尔P·哈弗曼
申请人 ：
ASML荷兰有限公司
申请人地址 ：
荷兰维德霍温
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
赵林琳
优先权 ：
CN202080072248.2
主分类号 ：
G03F7/20
IPC分类号 ：
G03F7/20
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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