半导体器件、布局方法、位置测量方法及电子设备
实质审查的生效
摘要
在本公开提供了一种对准标记的布局方法，应用于半导体技术领域，包括：获取待标记样品上x轴方向的划片槽和y轴方向的划片槽，在该x轴方向的划片槽和该y轴方向的划片槽内均放置一对准标记，将两个该对准标记的中心重叠，以及，将两个该对准标记的中心放置在该x轴方向的划片槽和该y轴方向的划片槽的交叉中心处。本申请还公开了一种半导体器件、位置测量方法及电子设备。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件、布局方法、位置测量方法及电子设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420673A
申请号 ：
CN202210011983.3
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2022-01-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李璟张清洋丁敏侠杨光华朱世懂钟丽娜
申请人 ：
中国科学院微电子研究所
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
李世阳
优先权 ：
CN202210011983.3
主分类号 ：
H01L23/544
IPC分类号 ：
H01L23/544 H01L21/66 G06F30/392 G01B11/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/544
加到半导体器件上的标志，例如注册商标、测试图案
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/544
申请日 : 20220106
申请日 : 20220106
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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