WAT的测量方法

实质审查的生效

摘要

本发明提供一种WAT的测量方法，提供测试机台、PSMU仪以及需检测的形成于晶圆上的器件，晶圆上还形成有多个测试键，且每个测试键上形成有多个与不同器件相对应的焊盘；根据焊盘的排列方式得到焊盘排列数据，根据焊盘排列数据选择可做并行测试的焊盘定义为多组待测试组；根据多组待测试组在晶圆上的位置得到多组地址分组数据；将每组地址分组数据分别输入至PSMU仪中不同的PSMU；同时对多组待测试组进行检测。本发明的WAT测量方法在维持良好表现的同时又能有效提升生产量，增加单位时间测试参数，提升WAT机台利用率。

基本信息

专利标题：

WAT的测量方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114355157A

申请号：

CN202111567754.1

公开（公告）日：

2022-04-15

申请日：

2021-12-21

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

陈俊池李旭东孟文艳韩斌

申请人：

华虹半导体（无锡）有限公司

申请人地址：

江苏省无锡市新吴区新洲路30号

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司

代理人：

刘昌荣

优先权：

CN202111567754.1

主分类号：

G01R31/28

IPC分类号：

G01R31/28 G01R31/26

IPC结构图谱

G部——物理

G01

测量；测试

G01R

测量电变量；测量磁变量

G01R31/28

•电路的测试，例如用信号故障寻测器

法律状态

2022-05-03 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : G01R 31/28
申请日 : 20211221

2022-04-15 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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