GaN HEMT器件的栅极刻蚀方法、器件制备方法、器件、...
公开
摘要
本发明提供了一种GaNHEMT器件的栅极刻蚀方法，包括：刻蚀势垒层上的P型层；以所述第一图形化阻挡层为掩模，对所述第一P型层进行第一次刻蚀，对剩余的所述第一P型层暴露出来的侧面进行第一次化学处理；在剩余的所述P型层的表面形成第二图形化阻挡层；以所述第二图形化阻挡层为掩模，对所述第二P型层进行第二次刻蚀，形成台阶结构；对剩余的所述第二P型层暴露出来的侧面以及暴露出来的所述势垒层的表面进行第二次化学处理；既有效抑制了来自势垒层的电荷移动，又消除刻蚀过程中产生的P型层的侧壁缺陷和势垒层的表面缺陷，有效减少了漏电和向栅极的电荷转移，从而提高了阈值电压的稳定性和可靠性，解决了一定程度的长时间使用后会出现漂移现象。
基本信息
专利标题 ：
GaN HEMT器件的栅极刻蚀方法、器件制备方法、器件、设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582720A
申请号 ：
CN202210118917.6
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-02-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
庞亚楠陈敏戴维欧新华袁琼符志岗邱星福刘宗金
申请人 ：
上海芯导电子科技股份有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祖冲之路2277弄7号
代理机构 ：
上海慧晗知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
徐海晟
优先权 ：
CN202210118917.6
主分类号 ：
H01L21/308
IPC分类号 ：
H01L21/308 H01L21/335 H01L29/778
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
H01L21/308
应用掩膜的
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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