一种离子推力器屏栅极溅射刻蚀仿真分析方法
实质审查的生效
摘要

本申请涉及空间电推进技术领域,具体而言,涉及一种离子推力器屏栅极溅射刻蚀仿真分析方法,通过构建仿真计算模型,建立高能离子与屏栅极表面溅射腐蚀速率之间的关系,实现对屏栅极失效发生的概率进行评估。一方面是基于离子推力器放电室的基础理论知识,进一步明确放电室气体放电过程和高能离子产生过程,另一方面是明晰高能离子对固体表面的轰击溅射刻蚀过程和工作机制,仿真计算结果可为设计人员在离子电推进产品研制及优化设计提供手段支持和数据参考,以达到大幅缩短产品研发周期、降低产品研制成本的目的。

基本信息
专利标题 :
一种离子推力器屏栅极溅射刻蚀仿真分析方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114329919A
申请号 :
CN202111502322.2
公开(公告)日 :
2022-04-12
申请日 :
2021-12-09
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
陈娟娟谷增杰王润福耿海郭宁李娟王彦龙郭德洲张涛
申请人 :
兰州空间技术物理研究所
申请人地址 :
甘肃省兰州市城关区渭源路97号
代理机构 :
北京元理果知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
饶小平
优先权 :
CN202111502322.2
主分类号 :
G06F30/20
IPC分类号 :
G06F30/20  G06F30/15  C23C14/02  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算;推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F30/20
设计优化、验证或模拟
法律状态
2022-04-29 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06F 30/20
申请日 : 20211209
2022-04-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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