离子溅射仪
授权
摘要
本实用新型涉及一种离子溅射仪，包括：处理腔室，用于容纳样品；气体调节模块，与所述处理腔室连通，用于监测和调节所述处理腔室内的压强；磁控溅射模块，与所述处理腔室连通，用于对所述样品进行磁控溅射沉积以在所述样品表面形成导电膜层；等离子清洗模块，与所述处理腔室连通，用于对所述样品进行等离子清洗。本实用新型通过磁控溅射模块提高了导电镀层的沉积效率和降低沉积温度，并通过等离子清洗模块同时去除样品表面的有机污染物，从而提高了样品表面的成像清晰度，减少了“积碳”现象的产生。
基本信息
专利标题 ：
离子溅射仪
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021249988.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-01
授权号 ：
CN212770929U
授权日 ：
2021-03-23
发明人 ：
常正凯张小波张增雄
申请人 ：
深圳市速普仪器有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区南山街道桂庙路北向南瑞峰花园1栋209
代理机构 ：
广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
熊文杰
优先权 ：
CN202021249988.2
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35 C23C14/02 C23C14/56
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2021-03-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN212770929U.PDF
PDF下载
