等离子处理装置以及等离子处理方法
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摘要

提供提升样品的蚀刻处理的均匀性、进而提升成品率的等离子处理装置以及等离子处理方法。在对放置在配置于真空容器内部的处理室内的样品台的上表面上方的晶片使用在该处理室内形成的等离子进行处理的等离子处理装置或等离子处理方法中,多个电极配置于所述样品台中央部以及其外周侧的区域,多个高频电源对多个电极各自提供高频电力,多个供电用路径将所述多个电极以及高频电源各个之间电连接,连接路径经由线圈将多个供电用路径上的匹配器与所述电极之间的部位彼此电连接,对应于流过所述供电用的路径的高频电力的相位差的大小来调节连接路径的所述线圈的电感,使得所述高频电力的电压成为极大值或极小值。

基本信息
专利标题 :
等离子处理装置以及等离子处理方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN110648889A
申请号 :
CN201910116069.3
公开(公告)日 :
2020-01-03
申请日 :
2019-02-14
授权号 :
CN110648889B
授权日 :
2022-05-13
发明人 :
弘中嘉之
申请人 :
株式会社日立高新技术
申请人地址 :
日本东京都
代理机构 :
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 :
高颖
优先权 :
CN201910116069.3
主分类号 :
H01J37/32
IPC分类号 :
H01J37/32  H01L21/3065  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管,例如为了对其检验或加工的
H01J37/32
充气放电管
法律状态
2022-05-13 :
授权
2020-02-04 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01J 37/32
申请日 : 20190214
2020-01-03 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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