等离子处理方法及等离子处理装置
发明专利申请公布后的驳回
摘要
本发明能够尽量抑制高价氪、氙气的消耗量，同时降低等离子处理时对被处理物的损伤。在利用稀有气体进行的基板的等离子处理中，使用2种以上的不同的稀有气体，稀有气体之一采用廉价的氩气，其以外的气体采用与电子的碰撞截面积大于氩气的氪、氙的一种或两种，能够尽量抑制高价氪、氙气的消耗量，同时降低等离子处理时对被处理物的损伤。
基本信息
专利标题 ：
等离子处理方法及等离子处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101273671A
申请号 ：
CN200580051671.X
公开（公告）日 ：
2008-09-24
申请日 ：
2005-09-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
大见忠弘寺本章伸
申请人 ：
大见忠弘
申请人地址 ：
日本国宫城县
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
李贵亮
优先权 ：
CN200580051671.X
主分类号 ：
H05H1/46
IPC分类号 ：
H05H1/46 H05H1/00
法律状态
2014-12-10 ：
发明专利申请公布后的驳回
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101708222031
IPC(主分类) : H01L 21/00
专利申请号 : 200580051671X
申请公布日 : 20080924
号牌文件序号 : 101708222031
IPC(主分类) : H01L 21/00
专利申请号 : 200580051671X
申请公布日 : 20080924
2008-11-19 ：
实质审查的生效
2008-09-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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