等离子体处理方法和装置
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
摘要
本文描述了一种等离子体处理方法和装置。在一对电极之间，安置了一些基片，电极被供给高频电源，以便产生辉光放电，并导致产生等离子体。在等离子体中的基片加以交流电场。借助于此交流电场、基片受到溅射作用。
基本信息
专利标题 ：
等离子体处理方法和装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1036681A
申请号 ：
CN89101741.0
公开（公告）日 ：
1989-10-25
申请日 ：
1989-02-04
授权号 ：
CN1021100C
授权日 ：
1993-06-02
发明人 ：
山崎舜平土屋光则川野笃今任慎二中下一寿浜谷敏次大岛乔伊藤健二
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县厚木市
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
肖掬昌
优先权 ：
CN89101741.0
主分类号 ：
H05H1/30
IPC分类号 ：
H05H1/30
法律状态
2009-04-08 ：
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2002-04-24 ：
其他有关事项
1993-06-02 ：
授权
1991-03-27 ：
实质审查请求已生效的专利申请
1989-10-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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