等离子体处理方法
专利权的终止
摘要
从微波发生装置(39)经由匹配电路(38)将脉冲状的微波导入波导管(37)，经由内导体(41)供给到平面天线部件(31)，从平面天线部件(31)经由微波透过板(28)放射到腔室(1)中的晶片(W)的上方空间。利用从平面天线部件(31)经由微波透过板(28)放射到腔室(1)的脉冲状的微波在腔室(1)内形成电磁场，使Ar气体、H2气体、O2气体等离子体化而对晶片(W)进行氧化膜的形成。
基本信息
专利标题 ：
等离子体处理方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101053071A
申请号 ：
CN200680001118.X
公开（公告）日 ：
2007-10-10
申请日 ：
2006-01-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
小林岳志古井真悟北川淳一
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙淳
优先权 ：
CN200680001118.X
主分类号 ：
H01L21/316
IPC分类号 ：
H01L21/316 H05H1/46 H01L27/14
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/314
无机层
H01L21/316
由氧化物或玻璃状氧化物或以氧化物为基础的玻璃组成的无机层
法律状态
2015-02-25 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101599919390
IPC(主分类) : H01L 21/316
专利号 : ZL200680001118X
申请日 : 20060105
授权公告日 : 20091118
终止日期 : 20140105
号牌文件序号 : 101599919390
IPC(主分类) : H01L 21/316
专利号 : ZL200680001118X
申请日 : 20060105
授权公告日 : 20091118
终止日期 : 20140105
2009-11-18 ：
授权
2007-12-05 ：
实质审查的生效
2007-10-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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