F密度测量方法、等离子体处理方法和等离子体处理装置
专利权的终止
摘要
本发明提供能够以高精度测量等离子体处理装置的等离子体中F密度的方法。本方法是对处理容器(10)内容纳的被处理体(W)进行等离子体处理的等离子体处理装置(1)的等离子体中F密度进行测量的方法，其使用至少含有O2气和惰性气体的处理气体，根据被处理体(W)表面的F游离基发光强度[F*]和惰性气体发光强度[惰性气体*]之比[F*]/[惰性气体*]，测量等离子体处理中的F密度。
基本信息
专利标题 ：
F密度测量方法、等离子体处理方法和等离子体处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1828274A
申请号 ：
CN200610007747.5
公开（公告）日 ：
2006-09-06
申请日 ：
2006-02-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
本田昌伸
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本国东京都
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙淳
优先权 ：
CN200610007747.5
主分类号 ：
G01N21/63
IPC分类号 ：
G01N21/63 H01L21/00 H05H1/46
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N21/00
利用光学手段，即利用亚毫米波、红外光、可见光或紫外光来测试或分析材料
G01N21/62
所测试的材料在其中被激发，因之引起材料发光或入射光的波长发生变化的系统
G01N21/63
光学激发的
法律状态
2018-03-13 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : G01N 21/67
申请日 : 20060220
授权公告日 : 20100512
终止日期 : 20170220
申请日 : 20060220
授权公告日 : 20100512
终止日期 : 20170220
2010-05-12 ：
授权
2006-10-25 ：
实质审查的生效
2006-09-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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